Inverter Sederhana untuk Mengubah Sinyal DC menjadi Sinyal AC Sinusoidal

Pada dasarnya, kerja inverter adalah mengubah sinyal dc menjadi sinyal ac. Aplikasi yang sering digunakan dari inverter ini contohnya adalah jika rumah kita mati lampu (listrik PLN mati) dan kita ingin menyalakan neon atau bahkan TV maka kita dapat menggunakan accu mobil/motor (accu truk kalo ada, biar dayanya gede) dengan tambahan inverter.

Sebenarnya udah banyak contoh rangkaian inverter yang ditampilin di internet, namun sangat disayangkan karena banyak dari contoh rangkaian inverter di internet sangat rumit atau jika rangkaiannya sederhana hasil keluaran sinyal bukan ac sinusoidal tapi ac sinyal kotak.

Nah, diblog ini, saya coba tampilin rangkaian sederhana inverter yang bener2 ngubah dc ke ac sinusoidal. Bermula dari pengalaman saya ingin membuat inverter sederhana dan murah agar jika mati lampu di rumah bisa nyalain neon. Akhirnya saya cari di internet rangkaian inverter dan saya coba buat namun hasilnya ternyata bukan sinyal sinusoidal tapi sinyal kotak.
Gambar di atas merupakan rangkaian awal yang saya temukan di internet. Sayangnya, rangkaian ini hanya membuat sinyal kotak.

Dua gambar di atas merupakan simulasi program ewb dari inverter yang saya temukan di internet dan sinyal keluarannya sebelum memasuki trafo. Kita lihat bahwa hasil keluarannya kotak, ini juga yang saya alami ketika saya udah beres beli dan buat rangkaiannya. Akhirnya, saya tanya ke sana kemari agar sinyal kotak itu bisa berubah menjadi sinyal sinusoidal. Ada yang bilang pake teknik PWM (pulse Wave Modulation) tapi rangkaian PWM ini cukup ribet, akhirnya saya dapet ide untuk menggunakan rangkaian tambahan RLC. Saya punya ide ini karena waktu belajar Rangkaian Elektrik di kampus, saya inget bahwa rangkaian RLC dapat membuat suatu harmonik. Akhirnya saya coba selama 3 jam dan saya dapat rangkaian utuhnya.

Gambar di atas merupakan rangkaian inverter yang telah ditambahkan rangkaian RLC dengan spesifikasi C = 2000 mikroF ; L = 5 mH ; R = 50 ohm.

Gambar di atas merupakan sinyal keluaran yang terjadi setelah rangkaian awal diberi rangkaian tambahan RLC. Selamat mencoba!!!!!!

Salah Satu Kelebihan SiC dari Si pada Peralatan Elektrik

Perkembangan dunia elektro memang telah mengubah pandangan beberapa orang yang berkecimpung di dunia ini. Banyak penelitian dilakukan agar dapat memajukan dunia elektro ini.
Salah satu penelitian yang dilakukan adalah dalam material device - device elektrik itu sendiri. Penelitian yang baru - baru ini dilakukan adalah penelitian mengenai keunggulan Silikon Karbida (SiC) daripada Silikon biasa (Si).
Pada posting ini, saya coba membahas keunggulan - keunggulan SiC yang telah diteliti oleh para ilmuwan. Secara umum, SiC unggul dari Si dalam hal :

1. High Temperature Operation
2. High Breakdown Voltage
3. Low Loss
4. High Speed High Frequency

Pada kesempatan posting pertama ini, saya hanya akan membahas mengenai keunggulan ke - 4 SiC dari Si, yaitu High Speed High Frequency.

Kelebihan ke - 4 SiC sebagai properties semikonduktor (high speed high frequency) merupakan kelebihan dalam hal kecepatan switching dan kemampuannya ketika dioperasikan pada frekuensi tinggi. Dua kemampuan ini disebabkan oleh tingginya breakdown electric field dan tingginya saturation carrier velocity SiC daripada Si.
Breakdown electric field dari SiC 10x lebih besar dari Si (SiC = 2.5 x 106 V/m ; Si = 0.25 x 106 V/m pada operasi 1 kV) sedangkan saturation carrier velocity SiC 2x lebih besar dari Si (SiC = 2 x 107 cm/s ; si = 1 x 107 cm/s pada E saturasi).
Dapat disimpulkan bahwa keunggulan SiC dari Si :

1. Lebih tingginya breakdown electric field menyebabkan device lebih kecil dan dapat didoping lebih banyak
2. Lebih tingginya breakdown electric field dan saturation carrier velocity menyebabkan meningkatnya switching speed (high speed) dan frekuensi kerja hingga 10 GHz (high frequency)

Namun selain keunggulan, SiC memiliki kelemahan daripada Si ketika bekerja pada tegangan rendah. Hal ini disebabkan oleh kecepatan mobility electron SiC lebih kecil dari Si (SiC = 330 - 400 cm2/V.s ; Si = 1400 cm2/V.s pada temperatur ruangan).